特許

J-GLOBAL ID：200903018649203514

可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置

発明者： 宮澤 弘
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-200638
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028228
出願日： 2006年07月24日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

【課題】抵抗変化型メモリ装置(RRAM)に適用できる新規な可変抵抗素子を提供すること。【解決手段】可変抵抗素子10は、第1電極12と、前記第1電極12の上に形成された抵抗体層14と、前記抵抗体層14の上に形成された第2電極16と、を含む。前記抵抗体層14は、酸素欠陥を有する遷移金属酸化物からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、 前記第1電極の上に形成された抵抗体層と、 前記抵抗体層の上に形成された第2電極と、 を含み、 前記抵抗体層は、酸素欠陥を有する遷移金属酸化物からなる、可変抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 27/10 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/04 V ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (10件)：

5F038AV07 ,  5F038AV17 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 無粒界型マンガン酸化物系結晶体及びスイッチング型磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-271566   出願人：工業技術院長, 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-277712   出願人：富士通株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• PCMO薄膜の形成方法及びPCMO薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-130841   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-304460   出願人：松下電器産業株式会社