半導体製造装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-127952
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308077
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造に際して静電チャック機構により固定されるウェハ上の強誘電体、磁性材料、その他トランジスタ特性を劣化させる材料等の加工を行う際に、ウェハ周辺および裏面に材料が飛散、汚染することを防止抑制し得る半導体製造装置を提供する【解決手段】真空容器内に被処理ウェハ10を保持する下部電極を収容し、エッチングガスが導入され、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するドライエッチング装置において、真空容器内に収容され、ウェハを固定するための静電チャック機構と、処理容器内に収容され、ウェハの周辺部の上面あるいは上方を覆うカバーリング13とを具備する。

請求項（抜粋）：

処理容器内部に被処理半導体ウェハを収容し、前記半導体ウェハの表面処理を行うための表面処理装置と、前記処理容器内に収容され、前記半導体ウェハを固定するための静電チャック機構と、前記処理容器内に収容され、前記半導体ウェハの周辺部の上面あるいは上方を覆うカバー部品とを具備することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , C23C 14/34 , C23C 14/50 , H01L 21/203 , H01L 27/105 , H01L 27/10 461

FI (6件)：

C23C 14/34 J , C23C 14/50 A , H01L 21/203 S , H01L 27/10 461 , H01L 21/302 B , H01L 27/10 444 B

Fターム (28件)：

4K029CA05 , 4K029JA05 , 5F004BA04 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB23 , 5F004BB28 , 5F004BB30 , 5F004DA23 , 5F004DB13 , 5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083PR03 , 5F083ZA11 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103BB33 , 5F103DD27 , 5F103GG02 , 5F103HH03 , 5F103LL14

引用特許：

審査官引用 (4件)

真空処理装置及び該装置により目的処理物を得る方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-028199 出願人：日新電機株式会社
真空蒸着装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-009077 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-060561 出願人：株式会社日立製作所

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