特許

J-GLOBAL ID：200903018673787683

ドライエッチング方法

発明者： 荒木 衛
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-321857
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150477
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 過剰な塩素ラジカルの発生を抑制し、アルミ合金層のサイドエッチングを改善するドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 最上層の反射防止膜(窒化チタン)5上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法でレジストパターン群6を形成し、引き続いてレジストパターン群6をマスクとして、積層膜をエッチングする。積層膜をエッチングするには、まずCl2とBCl3との混合ガスを用いて、上層側から反射防止膜5とアルミ合金層4を連続エッチングする。Cl2とBCl3との混合ガスを用いて余剰のアルミ合金層4を完全にエッチング除去した後、同一エッチング室内で連続的にバリアメタル層(TiN)3をBCl3とCHF3との混合ガスを用いてエッチングする。

請求項（抜粋）：

少なくともバリアメタル層,アルミ合金膜,反射防止膜を含む積層アルミ配線をドライエッチングするドライエッチング方法であって、前記反射防止膜,バリアメタル層をBCl3とCHF3との混合ガスを用いてエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/88 D

Fターム (27件)：

4M104BB30 ,  4M104DD65 ,  4M104DD67 ,  4M104HH14 ,  5F004AA02 ,  5F004AA16 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DB00 ,  5F004DB09 ,  5F004DB16 ,  5F004EA22 ,  5F004EB02 ,  5F033HH09 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路装置の製造方法およびドライエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-279927   出願人：株式会社日立製作所
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-249586   出願人：株式会社日立製作所, 日立笠戸エンジニアリング株式会社
• 特開平1-279782