集積回路のクロストークと渦電流の遮断回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹本松司 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-041178
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249555
出願日： 2002年02月19日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】集積回路クロストーク(cross talk)と渦電流(eddy current)を減少する遮断回路(bar circuit) を提供すること。【解決手段】遮断回路は第1導電性の半導体基板と、半導体基板中の第2導電性の第1長条ウェルと、半導体基板中の第2導電性の第2長条ウェルとを具え、該第2長条ウェルが第1長条ウェルの下方にあり、並びに第1長条ウェル下方と隣接し、これによりバリアに連接してクロストークと渦電流を遮断する。

請求項（抜粋）：

集積回路のクロストークと渦電流を減少する遮断回路において、該遮断回路は、第1導電性を有する半導体基板と、該半導体基板上に形成されたインダクタ素子と、該半導体基板中において該インダクタ素子の下に設けられ第2導電性を有する複数の第1長条ウェルと、該半導体基板中の第1長条ウェルの下方に隣接して設けられ、接合バリアを形成して該クロストークと該渦電流を遮断する第2導電性を有する複数の第2長条ウェルと、を具えたことを特徴とする集積回路のクロストークと渦電流の遮断回路。

IPC (2件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04

Fターム (5件)：

5F038AZ04 , 5F038BH10 , 5F038BH19 , 5F038BH20 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体基板上に形成されるインダクタンス素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-059620 出願人：富士通株式会社
コイル構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-148581 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-062979 出願人：ソニー株式会社

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