特許
J-GLOBAL ID：200903018684323360
電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101469
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312421
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】 熱的安定性に優れたInGaAs層を動作層とする電界効果トランジスタを提供する。【構成】 InP基板11上にInGaAs動作層13とInAlAs層14とGaAs層15とInGaAsキャップ層16を有し、GaAs層15を介してゲート電極19を有し、ゲート電極とGaAs層の接する部分に融点が1600°C以上の金属を配し、さらにInAlAs層14の一部にn型不純物が添加されている。【効果】 InAlAs層上にGaAs層を積層することによりInAlAs層の酸化を抑えられ、かつ、ゲート電極に融点の高い金属を用いることによりゲート電極とGaAs層の反応を抑えることができるので、素子の熱的安定性が向上する。
請求項（抜粋）：
半絶縁性InP基板上に、In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0<x<1.0)層と、該In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As層中に電子蓄積層を形成するための該In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>Asに対し所定の伝導帯の不連続をもってヘテロ接合を形成するIn<SB>y </SB>Al<SB>1-y </SB>As(0<y<1.0)層と、該In<SB>y </SB>Al<SB>1-y </SB>As層に接触し、格子不整合による転位の発生する臨界膜厚以下の厚さで設けられたGaAs層と、該GaAs層と接する部分に1600°C以上の融点をもつ金属を配したゲート電極とを有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/20
