特許

J-GLOBAL ID：200903018691136312

半導体装置およびその製造方法

発明者： 中松 郁雄 ,  内田 慎一 ,  安田 誠 ,  竹脇 利至 ,  中柴 康隆
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-269108
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124449
出願日： 2007年10月16日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】従来の半導体装置においては、受動素子を形成するための工程を追加する必要がある。【解決手段】半導体装置1は、半導体基板10、FET(電界効果トランジスタ)20、コンタクトプラグ30、抵抗素子40(特定部材)、および配線50を備えている。FET20には、コンタクトプラグ30が接続されている。このコンタクトプラグ30と同一の層(配線層60の最下層)中に、抵抗素子40が設けられている。コンタクトプラグ30および抵抗素子40は、同一の材料によって形成されている。抵抗素子40の上面の一部に、配線50が接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

トランジスタが形成された半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられ、前記トランジスタに接続されたコンタクトプラグと、 前記半導体基板上の、前記コンタクトプラグと同一の層中に設けられるとともに、当該コンタクトプラグと同一の材料からなり、受動素子を構成する特定部材と、 前記特定部材の上面の一部に接続された配線と、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06

FI (4件)：

H01L27/04 P ,  H01L21/88 A ,  H01L27/04 C ,  H01L27/06 102A

Fターム (38件)：

5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK19 ,  5F033KK25 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ25 ,  5F033VV09 ,  5F033VV10 ,  5F033XX33 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038AR07 ,  5F038AR13 ,  5F038AR17 ,  5F038DF03 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA09 ,  5F048AB10 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 回路素子および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-198207   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-221202   出願人：ソニー株式会社