特許

J-GLOBAL ID：200903018789498603

高電子移動度トランジスタ

発明者： 土屋 忠厳 ,  和田 次郎 ,  高野 和人
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-070644
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260643
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 キャリア供給層上に設けるゲート電極金属とキャリア供給層のGaInPの界面制御が困難であり、界面でのショットキー接合特性がHEMTのデバイス特性悪影響を及ぼし、デバイス特性を低下させている。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板101上にバッファ層102、チャネル層103(アンドープInGaAs層)、スペーサ層104を順次積層し、このスペーサ層104上にキャリア供給層(n型GaInP層)105を設け、更に界面制御用n型Al0.22Ga0.78As層106及びコンタクト層(n型GaAs層)107を順次積層してウェハを形成する。n型Al0.22In0.49P層106によって、n型GaInPによるキャリア供給層に対するショットキー接合特性の劣化が阻止され、GaInP系材料を用いたデバイスの特性改善が可能になる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に形成したInGaAsによるチャネル層と、前記チャネル層上に形成したn型GaInPによるキャリア供給層と、前記キャリア供給層上に形成した界面制御用AlGaAs層と、前記界面制御用AlGaAs層上に形成したGaAsによるコンタクト層と、前記コンタクト層の一部を除去して前記界面制御用AlGaAs層上に設けたゲート電極と、前記コンタクト層の表面の所定の位置に設けたソース電極及びドレイン電極とを具備することを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/48 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-032711   出願人：富士通株式会社
• 電界効果トランジスタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-306923   出願人：富士通株式会社