特許
J-GLOBAL ID：200903028632979042
電界効果トランジスタとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-306923
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161971
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、素子特性を劣化させる他の要因の導入を防ぎつつ、オーミック電極から二次元電子ガスまでの間に低キャリア濃度層を含まない電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上に少なくともチャネル層3、電子供給層4、キャップ層5が積層され、キャップ層5の開口部6にリセス構造のゲート電極8、キャップ層5上にソース・ドレイン電極8が設けられた電界効果トランジスタにおいて、少なくともゲート電極8に近接するキャップ層5の側壁の露出部に、真性化合物半導体層7が形成されてなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1) 上に少なくともチャネル層(3) 、電子供給層(4) 、キャップ層(5) が積層され、該キャップ層(5) の開口部(6) にリセス構造のゲート電極(8) 、該キャップ層(5) 上にソース・ドレイン電極(9) が設けられた電界効果トランジスタにおいて、少なくとも該ゲート電極(8) に近接する該キャップ層(5) の側壁の露出部に、真性化合物半導体層(7) が形成されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/80 H
, H01L 29/80 B
