特許
J-GLOBAL ID：200903018794570169

半導体装置

発明者：
関川 信之

関川 信之 について

, 
横山 豊

横山 豊 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257103
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106905
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 断面形状を滑らかにすることにより、パーティクルが付着しにくい構造のレーザマーキングを得る。【解決手段】 シリコンウェハ表面にレーザを点描画してマーキングを形成するに当たり、レーザ出力を調整して、断面での周辺部6とシリコン表面との形成する角度Xが90度以下になるように形成する。狭い谷間を形成せず滑らかな断面形状になることから、この部分に微細なパーティクルが強固に付着することを防止し、さらに各種製膜のが部分的に剥がれて新たなパーティクルを発生させる問題も防止する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ表面に凹凸を形成することで所定の刻印を施した半導体装置において、前記凹凸の断面側壁とシリコン表面との成す角度が約90度以下になるように形成したことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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