特許
J-GLOBAL ID：200903018802393875
多孔質表面の洗浄方法および半導体表面の洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-138584
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064870
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 キャビテーションによっても共振によっても、多孔質構造の崩壊が起こらない、多孔質半導体基体の好適な洗浄方法を提供する。【解決手段】 少なくとも表面に多孔質構造を有する半導体基体の多孔質表面の洗浄方法において、周波数が600kHzから2MHzの範囲の高周波を重畳した純水で、前記基体の多孔質表面に付着した異物を除去する洗浄をする。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面に多孔質構造を有する基体の多孔質表面の洗浄方法において、周波数が600kHzから2MHzの範囲の高周波を重畳した純水で、前記基体の多孔質表面に付着した異物を除去するための洗浄をすることを特徴とする多孔質表面の洗浄方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, B08B 3/08
, B08B 3/12
H01L 21/304 341 N
, B08B 3/08 Z
, B08B 3/12 A
