マイクロエミッタ電極の製造方法およびマイクロエミッタ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-326312
公開番号（公開出願番号）：特開平8-185794
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】電子を放出するためのマイクロエミッタ電極の集積度を向上すると共に、これらを個々に制御して微細領域での電子放出を可能にする。【構成】シリコン基板11上に複数のテーパ状のトレンチ13を形成するプロセスと、トレンチ13に金属14を堆積するプロセスと、金属14の上およびシリコン基板11上に絶縁物15を形成するプロセスと、シリコン基板11をエッチングして、トレンチ13に堆積された金属14の少なくとも1部を露出させて電極16とするプロセスと、によりマイクロエミッタ電極を製造する。

請求項（抜粋）：

基板に複数の先端の尖ったトレンチを形成する工程と、前記トレンチ内に電極材料を堆積する工程と、前記電極材料上に電極支持層を形成する工程と、前記基板をエッチングして、前記トレンチに堆積された電極材料の少なくとも1部を露出させてマイクロエミッタ電極とする工程と、を備えることを特徴とするマイクロエミッタ電極の製造方法。

IPC (2件)：

H01J 9/02 , H01J 1/30

引用特許：

審査官引用 (4件)

電界放出陰極の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-059219 出願人：三菱電機株式会社
電子ビーム装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-189281 出願人：富士通株式会社
特表平5-502545

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