常圧プラズマジェットを使用したコーティングのデポジット

発明者： , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-517124
公開番号（公開出願番号）：特表2001-520320
出願日： 1998年10月20日
公開日（公表日）： 2001年10月30日
要約：

【要約】760torrで動作可能であって、高熱を出さないソースを使用する例を示している。この発明の適用例として、同軸に配置された二つの電極(14)間の円環状空間(20)に、ヘリウム/酸素の混合ガスが導びかれる。電極は40〜500W、13.56MHzの高周波電力源で駆動され、安定したプラズマジェットがつくりだされる。光学放射分光(OES)によって検知したところ、この本発明のプラズマジェットの出口では、準安定な酸素の強い流れが存在し、イオンは存在しない。この流れ出る流れの中にテトラエトキシシラン(TEOS)を導入することにより、二酸化シリコンのフィルムがデポジットされる。高周波電力が400W、TEOSが0.2torr、酸素が11.1torr、ヘリウムが748.7torr、全ガスの流量が41L/minのとき、デポジットの速度は3020±250Å/minであった。

請求項（抜粋）：

基板上に材料をデポジットする方法であって、(a)閉じた端部と開口端とを有する導電性のチャンバと、前記チャンバ中に位置し前記チャンバとのあいだに円環状空間を形成するように配置された中心電極を有し、前記円環状空間を通って流れるガス中で、アークなしの常圧での高周波プラズマ放電によって前記チャンバの開口端に向かって流れる反応種を生成し、(b)前記チャンバの開口端の近くの領域にある前記反応種に、前記材料の気体状態の前駆体種を導入し、前記気体状態の前駆体種を前記前駆体種が前記反応種の少なくとも一つと反応するように選択することにより、前記材料を形成することのできる気体ジェットを前記チャンバの開口端を通って出し、(c)前記基板を前記気体ジェットの進路に配すことにより、前記材料が前記基板上にデポジットされる、ことからなる方法。

IPC (6件)：

C23C 16/513 , C23C 8/36 , H01L 21/31 , H01L 21/316 , H05H 1/24 , H05H 1/42

FI (6件)：

C23C 16/513 , C23C 8/36 , H01L 21/31 C , H01L 21/316 X , H05H 1/24 , H05H 1/42

引用特許：

審査官引用 (5件)

大気圧放電装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-062746 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-066794 出願人：川崎製鉄株式会社
特開昭63-277767

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