特許

J-GLOBAL ID：200903018865419173

誘電体磁器組成物およびその製造方法

発明者： 河田 智明 ,  中村 晃 ,  福原 綾
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 米田 潤三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207461
公開番号（公開出願番号）：特開2001-031468
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月06日
要約：

【要約】【課題】 PbO、Bi2O3等の環境汚染物質を含有せず、ガラス組成物を使用しなくても低温焼成が可能である誘電体磁器組成物であり、さらに、AgまたはAg合金を内部導体として使用しても、Agの拡散による誘電特性のバラツキが極めて少なく、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、内部導体の外部接続導体部における引き込み発生のないマイクロ波用誘電体磁器を可能とする誘電体磁器組成物と、その製造方法を提供する。【解決手段】 誘電体磁器組成物を、一般式xBaO・yNd2O3・zTiO2(ただし、6≦x≦23、13≦y≦30、64≦z≦68、x+y+z=100の関係を有する)で表される主成分に対して、副成分としてCu酸化物をCuO換算にて0.1〜3.0重量%、Zn酸化物をZnO換算にて0.1〜4.0重量%、B酸化物をB2O3換算にて0.1〜3.0重量%、Agを0.3〜1.5重量%の範囲で含有したものとする。

請求項（抜粋）：

主成分が一般式xBaO・yNd2O3・zTiO2(ただし、6≦x≦23、13≦y≦30、64≦z≦68、x+y+z=100の関係を有する)で表され、該主成分に対して副成分としてCu酸化物をCuO換算で0.1〜3.0重量%、Zn酸化物をZnO換算で0.1〜4.0重量%、B酸化物をB2O3換算で0.1〜3.0重量%、Agを0.3〜1.5重量%の範囲で含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。

IPC (3件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01P 7/10

FI (3件)：

C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01P 7/10

Fターム (26件)：

4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA11 ,  4G031AA25 ,  4G031AA26 ,  4G031AA28 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031GA01 ,  5G303AA02 ,  5G303AB06 ,  5G303AB08 ,  5G303AB11 ,  5G303AB15 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB03 ,  5G303CB11 ,  5G303CB22 ,  5G303CB35 ,  5G303CB38 ,  5G303CB43 ,  5G303DA04 ,  5J006HC07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 低温焼結誘電体磁器の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-157813   出願人：富士電気化学株式会社
• 誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-003908   出願人：宇部興産株式会社