特許
J-GLOBAL ID：200903053201092266

低温焼結誘電体磁器の製造方法

発明者：
野寄 佳成

野寄 佳成 について

, 
鈴木 靖生

鈴木 靖生 について


出願人/特許権者：
富士電気化学株式会社

富士電気化学株式会社 について


代理人 (1件)： 茂見 穰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157813
公開番号（公開出願番号）：特開平10-330161
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：
【要約】【課題】 内部電極材を含んだ構造の各種の誘電体部品を内部電極材に損傷を与えない温度で焼結でき、粉体の微粉砕工程が長くなりすぎることもなく、誘電特性及び特性安定性を向上させる。【解決手段】 主成分であるBaO10〜16モル%、TiO2 67〜72モル%、Nd2 O3 16〜18モル%に対して、Bi2 O3 7〜10重量%、Al2O3 0.3〜1.0重量%含有する仮焼済みの高誘電率材料に、ZnO45〜70重量%、B2 O3 5〜13重量%、SiO2 7〜40重量%、Al2 O3 8〜20重量%のガラス材料を3-x〜20-x容積%、CuOをx容積%(但し、x=0.2〜1.5)添加し、粉体の平均粒径を0.3μm以下に調整して、成形後、1000°C以下の温度で焼成する。CuOに代えて、ZnOを0.1〜1.5容積%、あるいはSnOを0.3〜1.2容積%添加してもよい。
請求項（抜粋）：
主成分としてBaOが10〜16モル%、TiO2 が67〜72モル%、Nd2 O3 が16〜18モル%の組成を有し、それに対し副成分としてBi2 O3 を7〜10重量%、Al2 O3 を0.3〜1.0重量%含有している仮焼済みのBaO-TiO2 -Nd2 O3 系の高誘電率材料に、ZnOが45〜70重量%、B2 O3 が5〜13重量%、SiO2 が7〜40重量%、Al2 O3 が8〜20重量%である組成の既にガラス化されている材料を添加し、低温焼成する誘電体磁器の製造方法において、高誘電率材料に対して、既にガラス化されている材料を3-x〜20-x容積%添加すると共に、それとは別にCuOをx容積%(但し、x=0.2〜1.5容積%)添加し、粉体の平均粒径を0.3μm以下に調整して、成形後、1000°C以下で焼成することを特徴とする低温焼結誘電体磁器の製造方法。
IPC (2件)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303
FI (2件)：
C04B 35/46 C ,  H01B 3/12 303
引用特許：
審査官引用 (3件)

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