半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-180440
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036120
出願日： 1995年07月17日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】ハンダとバリアメタルとの拡散による金属間化合物の生成を防止し、その接続強度を向上し、信頼性の高い半導体装置を得る。【解決手段】バリア金属層と、ハンダバンプ材料と安定合金化する第1の接続層と、該ハンダバンプ材料のうち、該バリア金属層と安定合金化しない金属を、ハンダバンプよりも高濃度に含む第2の接続層との積層体と、その上に形成されたハンダバンプとを含むバンプ電極を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体チップ、該半導体チップ上に設けられたボンディングパッド、及び該ボンディングパッド上に突出形成されたハンダバンプを有するバンプ電極を具備する半導体装置において、前記バンプ電極は、ボンディングパッド上に形成されたバリア金属層と、該バリア金属層上に形成され、ハンダバンプ材料と安定合金化する第1の接続層と、該第1の接続層上に形成され、該ハンダバンプ材料のうち、該バリア金属層と安定合金化しない金属を、ハンダバンプよりも高濃度に含む第2の接続層と、該第2の接続層上に形成されたハンダバンプとを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 602 H , H01L 21/60 311 Q , H01L 21/92 603 E , H01L 21/92 604 M

引用特許：

出願人引用 (3件)

銅と半導体の化合物を含むメタラジを有する電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-058439 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平4-280434
IC半導体装置のバンプ構造及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-188930 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

銅と半導体の化合物を含むメタラジを有する電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-058439 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平4-280434
特開平4-280434

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