特許
J-GLOBAL ID:200903018910065337

電子部品表面実装用基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-300936
公開番号(公開出願番号):特開平11-135680
出願日: 1997年10月31日
公開日(公表日): 1999年05月21日
要約:
【要約】【課題】コンデンサ等の電子部品を実装する絶縁基体の表面積を大幅に拡大することができる電子部品表面実装用基板を提供する。【解決手段】セラミックスからなる絶縁層11a〜11dを複数積層してなる絶縁基体11と、該絶縁基体11に形成された半導体素子収容用のキャビティ15とを具備し、絶縁基体11表面に電子部品22が実装される電子部品表面実装用基板において、キャビティ15が、半導体素子14が配置される矩形状の半導体素子配置用凹部16と、この半導体素子配置用凹部16の対向する位置に形成された電極パッド形成用凹部17とからなる十字形状である。
請求項(抜粋):
セラミックスからなる絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、該絶縁基体に形成された半導体素子収容用のキャビティとを具備し、前記絶縁基体表面に電子部品が実装される電子部品表面実装用基板において、前記キャビティが、半導体素子が配置される矩形状の半導体素子配置用凹部と、この半導体素子配置用凹部の対向する辺からそれぞれ前記絶縁基体端に向けて延設され、かつ前記辺よりも短い辺を有する一対の電極パッド形成用凹部とから構成されることを特徴とする電子部品表面実装用基板。
IPC (3件):
H01L 23/13 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/18
FI (3件):
H01L 23/12 C ,  H05K 1/18 R ,  H01L 23/12 N
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-332536   出願人:株式会社日立製作所
  • セラミック基板の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-342256   出願人:京セラ株式会社

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