特許

J-GLOBAL ID：200903018945132983

ナノスケールワイヤ及び関連デバイス

発明者： リーバー,チャールズ・エム ,  デュアン,シャンフェン ,  クイ,イ ,  フアン,ユ ,  グディクセン,マーク・エス ,  ラウホン,リンカーン・ジェイ ,  ウォン,ジャンファン ,  パーク,ホンクン ,  ウェイ,チンチャオ ,  リャン,ウェンジー ,  スミス,デーヴィッド・シー ,  ウォン,デリ ,  チョン,チャオフイ
出願人/特許権者： プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ ,  ユニバーシティ・オブ・サザンプトン
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  沖本 一暁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-511316
公開番号（公開出願番号）：特表2004-535066
出願日： 2002年05月20日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

要約書なし。

請求項（抜粋）：

500ナノメートル未満の最小幅をもつ少なくとも一つの部分を含む、自立型バルク-ドープ半導体を含む物品。

IPC (14件)：

H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L27/10 ,  H01L29/161 ,  H01L29/201 ,  H01L29/221 ,  H01L29/66 ,  H01L29/73 ,  H01L29/80 ,  H01L29/88 ,  H01L33/00 ,  H01L51/00

FI (13件)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  H01L21/205 ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/161 ,  H01L29/201 ,  H01L29/221 ,  H01L29/66 S ,  H01L29/88 Z ,  H01L33/00 A ,  H01L29/72 Z ,  H01L29/80 A ,  H01L29/28

Fターム (29件)：

5F003BM01 ,  5F003BM02 ,  5F003BM04 ,  5F003BN00 ,  5F003BN07 ,  5F041AA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F045AA12 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB10 ,  5F045AB12 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045CB10 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083HA06 ,  5F083HA07 ,  5F083JA60 ,  5F083PR25 ,  5F102FB10 ,  5F102GD04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 単一電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-002190   出願人：日本電気株式会社
• 量子細線の製造方法および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-021520   出願人：シャープ株式会社
• ナノスケール導電性コネクタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-215599   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (3件)

• Directed assembly of one-dimentional nanostructures into functional networks
• One-dimentional growth mechanism of crystalline silicon nanowires
• Germanium/carbon core-sheath nanostructures