特許
J-GLOBAL ID:200903018966984882
圧電素子、インクジェットヘッド、角速度センサ及びこれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (11件):
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 後藤 高志
, 井関 勝守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-117954
公開番号(公開出願番号):特開2004-079991
出願日: 2003年04月23日
公開日(公表日): 2004年03月11日
要約:
【課題】圧電素子20において結晶性及び(001)面結晶配向性の良好なペロブスカイト型酸化物からなる圧電体層3を形成して、この圧電素子20の特性ばらつきを低減するとともに、信頼性を向上させる。【解決手段】シリコン基板1上に、コバルト、ニッケル、鉄、マンガン及び銅の群から選ばれた少なくとも1種の金属と貴金属との合金からなる第1の電極層2を形成し、この第1の電極層2上に、菱面体晶系又は正方晶系のペロブスカイト型酸化物(PZT等)からなる圧電体層3を形成して、該圧電体層3を(001)面に優先配向させる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1の電極層と、該第1の電極層上に設けられた圧電体層と、該圧電体層上に設けられた第2の電極層とを備えた圧電素子であって、
上記第1の電極層は、コバルト、ニッケル、鉄、マンガン及び銅の群から選ばれた少なくとも1種の金属と貴金属との合金からなり、
上記圧電体層は、菱面体晶系又は正方晶系の(001)面に優先配向したペロブスカイト型酸化物からなることを特徴とする圧電素子。
IPC (10件):
H01L41/09
, B41J2/045
, B41J2/055
, B41J2/16
, G01C19/56
, G01P9/04
, H01L41/08
, H01L41/18
, H01L41/22
, H01L41/24
FI (11件):
H01L41/08 L
, G01C19/56
, G01P9/04
, B41J3/04 103A
, B41J3/04 103H
, H01L41/08 J
, H01L41/08 Z
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 A
, H01L41/22 Z
, H01L41/08 D
Fターム (18件):
2C057AF65
, 2C057AF93
, 2C057AG42
, 2C057AG44
, 2C057AG55
, 2C057AG85
, 2C057AG94
, 2C057AP02
, 2C057AP14
, 2C057AP25
, 2C057AP31
, 2C057AP52
, 2C057BA04
, 2C057BA14
, 2F105BB14
, 2F105CC01
, 2F105CD02
, 2F105CD06
引用特許: