特許
J-GLOBAL ID：200903018976654392
SOI基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-000308
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199840
出願日： 1997年01月06日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板の膜厚のばらつきが、SOI層の膜厚のばらつきに影響を及ぼすことがなく、SOI層の膜厚の均一性を増すことができるSOI基板の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のSOI基板の製造方法では、まず、半導体(シリコン)基板1の表面の、素子分離領域11となるところを選択的にエッチングする。次に、エッチングされた半導体基板1の表面上にシリコン酸化膜3を形成する。次に、シリコン酸化膜3の表面を平坦化した後、シリコン酸化膜3の表面に水素をイオン注入して半導体基板1内に水素イオンの分布層2を形成する。次に、シリコン酸化膜3上に多結晶シリコン4を形成し、この多結晶シリコン4の表面を他の基板の表面に張り合わせる。次に、熱処理を加えることにより、水素イオンの分布層2の面で、半導体基板1を劈開する。次に、半導体基板1の劈開面から、研削、研磨することにより、素子分離領域11のシリコン酸化膜に囲まれたシリコン層を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体(シリコン)基板の表面に水素をイオン注入して、その半導体基板内に水素イオンの分布層を形成する工程と、上記半導体基板の表面の、素子分離領域となるところを選択的にエッチングする工程と、上記エッチングされた半導体基板の表面上にシリコン酸化膜を形成する工程と、上記シリコン酸化膜上に多結晶シリコンを形成する工程と、上記多結晶シリコンの表面を、他の基板の表面に張り合わせる工程と、熱処理を加えることにより、水素イオンの分布層の面で、半導体基板を劈開する工程と、半導体基板の劈開面から、研削、研磨することにより、素子分離領域のシリコン酸化膜に囲まれたシリコン層だけを残す工程を有することを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/265
, H01L 21/762
, H01L 27/12
H01L 21/304 321 M
, H01L 27/12 B
, H01L 27/12 F
, H01L 21/265 Q
, H01L 21/265 W
, H01L 21/76 D
審査官引用 (1件)
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半導体部材の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-311975
出願人：キヤノン株式会社
引用文献：
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