特許
J-GLOBAL ID：200903016661713452
半導体部材の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-311975
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200080
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 絶縁性基板等の基体上に結晶性に優れた単結晶半導体層を得るうえで、生産性、均一性、制御性、コスト面に優れ、フローパターンディフェクトやCOP(Crystal Originated Particles)の影響を受けない高品質な半導体部材を提供する。【解決手段】 シリコン基板と該シリコン基板上に配された非多孔質半導体層と前記シリコン基板あるいは前記非多孔質半導体層の少なくともいずれか一方に形成されたイオン注入層とを有する第1の基体を用意する工程、前記第1の基体と第2の基体とを前記非多孔質半導体層が内側に位置する多層構造体が得られるように貼り合わせる工程、前記イオン注入層において前記多層構造体を分離する工程、前記分離された第2の基体側に残ったイオン注入層を除去する工程、とを有する半導体部材の製造方法。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と該シリコン基板上に配された非多孔質半導体層と前記シリコン基板あるいは前記非多孔質半導体層の少なくともいずれか一方に形成されたイオン注入層とを有する第1の基体を用意する工程、前記第1の基体と第2の基体とを前記非多孔質半導体層が内側に位置する多層構造体が得られるように貼り合わせる工程、前記イオン注入層において前記多層構造体を分離する工程、前記分離された第2の基体側に残ったイオン注入層を除去する工程、とを有することを特徴とする半導体部材の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/20
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/20
