特許
J-GLOBAL ID：200903018985925528

半導体装置及び半導体記憶装置

発明者：
川畑 邦範

川畑 邦範 について

, 
畠山 淳

畠山 淳 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337338
公開番号（公開出願番号）：特開平10-188552
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】製造バラツキによる特性値の調整用データを記憶するメモリへの書き込み工程を効率良く行う。【解決手段】複数のメモリセルからなるメモリセルアレイ(10)を有するダイナミック型の半導体記憶装置において、メモリセルアレイのリフレッシュ動作をさせるタイミング信号(24a)を所定の周期で発生する発振器(22)を有し、その発振器は、所定の特性値(Vg)を与えられて、特性値に応じた前記周期を持つタイミング信号を発生する発振回路(48)と、特性値を調整する為の調整信号(37)を生成するプログラム可能なメモリ手段(33)を有し、調整信号に従って調整された特性値を発振回路に与える特性値生成手段(50)と、テストエントリ信号(49)によりメモリ手段(33)の代わりにテスト用の調整信号を与えることを可能にする確認用切り替え手段(35)を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルからなるメモリセルアレイを有するダイナミック型の半導体記憶装置において、該メモリセルアレイのリフレッシュ動作をさせるタイミング信号を所定の周期で発生する発振器を有し、該発振器は、所定の特性値を与えられて、該特性値に応じた前記周期を持つタイミング信号を発生する発振回路と、前記特性値を調整する為の調整信号を生成するプログラム可能なメモリ手段を有し、前記調整信号に従って調整された前記特性値を前記発振回路に与える特性値生成手段と、テストエントリ信号により前記メモリ手段の代わりにテスト用の調整信号を与えることを可能にする確認用切り替え手段を有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 11/401 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/403 ,  G11C 29/00 671
FI (4件)：
G11C 11/34 371 A ,  G11C 29/00 671 T ,  G11C 11/34 354 C ,  G11C 11/34 363 M
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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