積層セラミック電子部品の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小柴雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-339057
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142355
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】ニッケルを含む内部導体膜が形成された生の積層体を、脱バインダ処理し、還元性雰囲気中で焼成したとき、ニッケルの還元に伴う長手方向および幅方向への収縮の結果、内部導体膜の厚みが増し、得られた焼結後の積層体において、構造欠陥が生じることがある。【解決手段】脱バインダ工程と焼成工程Bとの間に、焼成工程Bにおいてセラミックグリーン層および内部導体膜が焼結を開始する温度より低い温度D下において、内部導体膜に含まれるニッケルを適度に酸化させるように酸素分圧がコントロールされた雰囲気中で生の積層体を熱処理する、焼結前熱処理工程Aを実施する。

請求項（抜粋）：

バインダを含みかつ積層された複数のセラミックグリーン層および前記セラミックグリーン層間の特定の界面に沿って形成されかつニッケルを含む内部導体膜を備える、生の積層体を作製する工程と、前記生の積層体に含まれるバインダを除去するため、前記生の積層体を熱処理する、脱バインダ工程と、脱バインダ工程の後、前記セラミックグリーン層および前記内部導体膜を焼結させるため、前記生の積層体を還元性雰囲気中で焼成する、焼成工程とを備える、積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記脱バインダ工程と前記焼成工程との間に、前記焼成工程において前記セラミックグリーン層および前記内部導体膜が焼結を開始する温度より低い温度下において、前記内部導体膜に含まれる前記ニッケルを酸化させるように酸素分圧がコントロールされた雰囲気中で前記生の積層体を熱処理する、焼結前熱処理工程をさらに備えることを特徴とする、積層セラミック電子部品の製造方法。

IPC (3件)：

H01G 13/00 391 , H01G 4/12 364 , H01G 4/30 311

FI (3件)：

H01G 13/00 391 E , H01G 4/12 364 , H01G 4/30 311 Z

Fターム (20件)：

5E001AB03 , 5E001AC09 , 5E001AE00 , 5E001AH08 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5E082AB03 , 5E082BC33 , 5E082BC38 , 5E082EE04 , 5E082EE23 , 5E082EE35 , 5E082FG06 , 5E082FG26 , 5E082FG54 , 5E082LL01 , 5E082LL02 , 5E082MM24 , 5E082PP07 , 5E082PP10

引用特許：

出願人引用 (4件)

積層セラミック電子部品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-105256 出願人：ティーディーケイ株式会社
特開昭60-178611
積層セラミックコンデンサ用ニッケル粉末
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056912 出願人：株式会社村田製作所

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審査官引用 (1件)

積層セラミック電子部品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-105256 出願人：ティーディーケイ株式会社

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