特許

J-GLOBAL ID：200903019020143388

転写パターンのシミュレーション方法

発明者： 田中 聡 ,  井上 壮一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-042733
公開番号（公開出願番号）：特開2000-241959
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】シミュレーションに用いるパターンを実際に形成されているパターンに近づけることによって、シミュレーション結果の精度を向上させる。【解決手段】露光用マスクを投影露光装置を介して被露光基板上に転写して得られる転写パターンのシミュレーション方法として、前記マスクパターンとして、マスクパターンの設計データに対して一定寸法量正のバイアス量Δを付加するリサイズ処理を行い、第1のマスクパターンデータを形成する工程と、第1のマスクパターンデータの各頂点位置に対して所定の角処理を行い、第2のマスクパターンデータを形成する工程と、第2のマスクパターンデータに対して負のバイアス量Δ’を付加するリサイズ処理を行い、第3のマスクパターンデータを形成する工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

露光用マスクを投影露光装置を介して被露光基板上に転写して得られる転写パターンのシミュレーション方法として、前記マスクパターンとして、マスクパターンの設計データに対して一定寸法量正のバイアス量Δを付加するリサイズ処理を行い、第1のマスクパターンデータを形成する工程と、第1のマスクパターンデータの各頂点位置に対して所定の角処理を行い、第2のマスクパターンデータを形成する工程と、第2のマスクパターンデータに対して負のバイアス量Δ’を付加するリサイズ処理を行い、第3のマスクパターンデータを形成する工程とを含むことを特徴とする転写パターンのシミュレーション方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (4件)：

2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB12 ,  2H095BB36

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭62-200727
  
• 転写光強度分布のシミュレーション方法、マスクパターン補正方法とそれを用いたマスク、露光方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-179952   出願人：ソニー株式会社
• パターン形状の変形方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-213225   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-200727
  
• 特開昭62-200727