半導体不揮発性記憶装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯村雅俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-221143
公開番号（公開出願番号）：特開平7-073685
出願日： 1993年09月06日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】消去動作とベリファイ動作の切り換え時間およびベリファイ動作自体のオーバヘッド時間を低減した半導体不揮発性記憶装置を提供すること。【構成】メモリセルのしきい値を複数回の繰り返し動作で書き換える方式の半導体不揮発性記憶装置において、1回のしきい値を変化させる動作(書き換えパルス印加)に対するメモリしきい値変化の刻み幅ΔVthはKvth・log(t2/t1)で表され、書き換えパルス幅の倍率(t2/t1)は10の(ΔVth/Kvth)乗の形で表される。メモリセルしきい値変化ΔVthを一定とするパルス幅(このパルス幅は繰り返し回数に伴って増加する:例えば、しきい値特性の傾きKvthが0.664、ΔVthが0.2Vとした場合の倍率は2倍になる)のパルスを供給することによって書き換えパルスの回数を少なくし、オーバヘッド時間を低減させる。

請求項（抜粋）：

しきい値電圧を電気的に書き換える(消去、書き込み)ことが可能なトランジスタからなる半導体不揮発性記憶装置において、書き換えを複数の書き換え動作の繰り返しで行うとともに、該書き換え動作の繰り返し中に少なくとも一回書き換えているメモリセルの状態を読み出し(ベリファイ)し、その情報に基づいて該記憶装置の書き換えの繰り返し動作の継続、停止を制御するようにしたことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-211743 出願人：富士通株式会社
特開昭63-184998
メモリカード装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-316401 出願人：株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社

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