半導体装置及び半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067628
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260690
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】本発明は、素子分離領域により囲まれたMOSトンネル効果素子において負性抵抗特性を良好なものとし、集積化に適した半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は表面に素子分離領域102 が形成された半導体基板101 と、素子分離領域に囲まれた素子領域に形成され、少なくともいずれかが前記素子分離領域と離れて形成された第1不純物領域及び第2不純物領域105a,105b と、第1不純物領域と第2不純物領域とにより両側から挟まれるように半導体基板101 上にゲ-ト絶縁膜103 を介して形成されたゲ-ト電極104 備えられ、ゲ-ト電極104 の制御により前記第1不純物と前記第2不純物領域との間にチャネル領域110 が形成され、このチャネル領域と少なくとも前記第1不純物領域或いは第2不純物領域との間にトンネルダイオ-ドが形成されることを特徴とする

請求項（抜粋）：

表面に素子分離領域が形成された半導体基板と、前記素子分離領域に囲まれた素子領域上にゲ-ト絶縁膜を介して形成されたゲ-ト電極と、前記ゲ-ト電極を両側から挟むように前記素子領域の表面領域に形成された複数の不純物領域と、前記複数の不純物領域間に形成されたチャネル領域とが備えられ、前記不純物領域のうち、前記チャネル領域との間にトンネルダイオ-ドが形成される部分領域は前記素子分離領域から離して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/88 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/88 Z , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 J

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-196321 出願人：日本電気株式会社
MIS型高耐圧トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-221073 出願人：松下電子工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-210155 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (7件)

特開昭58-096766
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-196321 出願人：日本電気株式会社
MIS型高耐圧トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-221073 出願人：松下電子工業株式会社

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