特許
J-GLOBAL ID：200903019068660589

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者：
橘 誠一郎

橘 誠一郎 について

, 
西 恒寛

西 恒寛 について

, 
小林 知洋

小林 知洋 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-259293
公開番号（公開出願番号）：特開2005-105260
出願日： 2004年09月07日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【解決手段】 下記一般式(1)〜(4)で示される繰り返し単位をそれぞれ1種以上含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜50,000の高分子化合物。 【化1】(式中、R1、R3、R4、R7はそれぞれ独立に水素原子、又はメチル基を示す。R2は酸不安定基を示す。R5、R6はそれぞれ独立に水素原子又は水酸基を示す。R8はラクトン構造を有する基を示す。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)〜(4)で示される繰り返し単位をそれぞれ1種以上含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜50,000の高分子化合物。
IPC (5件)：
C08F220/06 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (5件)：
C08F220/06 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (35件)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AJ02Q ,  4J100AK32T ,  4J100AL03T ,  4J100AL04T ,  4J100AL08P ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AM43T ,  4J100AR11T ,  4J100BA03R ,  4J100BA20S ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC07P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53S ,  4J100BC58S ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開平4-39665号公報
審査官引用 (3件)

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