特許
J-GLOBAL ID:200903081397453788
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-009104
公開番号(公開出願番号):特開2005-031624
出願日: 2004年01月16日
公開日(公表日): 2005年02月03日
要約:
【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ-ションに於いて、コンタクトホール形成において広いプロセスウインドウをもち、かつフローベーク時のピット形成を抑制出来るレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用により分解し、アルカリ可溶性となる基を含む繰り返し単位(a)、脂環ラクトン構造を有する繰り返し単位(b)、水酸基を置換した脂環構造をもつ繰り返し単位(c)、及び、メタクリル酸由来の繰り返し単位(d)を含有し、メタクリル酸由来の繰り返し単位(d)の割合が全繰り返し単位中5〜18%である酸の作用により現像液に対する溶解性が増大する樹脂(A)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
酸の作用により分解し、アルカリ可溶性となる基を含む繰り返し単位(a)、脂環ラクトン構造を有する繰り返し単位(b)、水酸基を置換した脂環構造をもつ繰り返し単位(c)、及び、メタクリル酸繰り返し単位(d)を含有し、メタクリル酸繰り返し単位(d)の割合が全繰り返し単位中5〜18モル%である、酸の作用により現像液に対する溶解性が増大する樹脂(A)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (4件):
G03F7/039
, C08F20/18
, C08F20/28
, H01L21/027
FI (4件):
G03F7/039 601
, C08F20/18
, C08F20/28
, H01L21/30 502R
Fターム (39件):
2H025AA00
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB13
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025FA10
, 2H025FA17
, 2H025FA29
, 4J100AJ02S
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100BA02P
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA11Q
, 4J100BA15P
, 4J100BA15Q
, 4J100BA16Q
, 4J100BA34Q
, 4J100BA58Q
, 4J100BC02P
, 4J100BC07P
, 4J100BC08P
, 4J100BC08R
, 4J100BC09P
, 4J100BC09R
, 4J100BC12P
, 4J100BC12R
, 4J100BC53Q
, 4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (6件)
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