特許

J-GLOBAL ID：200903019081772442

光電変換素子の製造方法および光電変換素子

発明者： 十楚 博行 ,  吉田 篤史 ,  中村 一世 ,  鷲尾 英俊 ,  高橋 直 ,  高本 達也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-222865
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042739
出願日： 2005年08月01日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】 エッチング液への浸漬回数を低減できるとともに作業工程数を低減することができる光電変換素子の製造方法およびこの方法により得られた光電変換素子を提供する。【解決手段】 基板と、基板上に互いに組成の異なる複数の化合物半導体層が順次積層して構成された積層体と、を含み、積層体中に少なくとも1つのpn接合部を有する光電変換素子を製造する方法であって、基板上に互いに組成の異なる複数の化合物半導体層が順次積層して構成された積層体を形成する工程と、積層体上に保護膜を形成する工程と、少なくとも積層体の一部を機械的に除去することにより溝を形成する工程と、保護膜および溝の形成後にエッチング液を用いて溝の側壁をエッチングする工程と、溝に対応する箇所を切断することによって複数の光電変換素子に分離する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法とその方法により得られた光電変換素子である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、基板上に互いに組成の異なる複数の化合物半導体層が順次積層して構成された積層体と、を含み、積層体中に少なくとも1つのpn接合部を有する光電変換素子を製造する方法であって、 基板上に互いに組成の異なる複数の化合物半導体層が順次積層して構成された積層体を形成する工程と、 積層体上に保護膜を形成する工程と、 少なくとも積層体の一部を機械的に除去することにより溝を形成する工程と、 保護膜および溝の形成後にエッチング液を用いて溝の側壁をエッチングする工程と、 溝に対応する箇所を切断することによって複数の光電変換素子に分離する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (9件)：

5F051AA08 ,  5F051BA14 ,  5F051CB21 ,  5F051CB24 ,  5F051CB28 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051GA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• III-V族化合物半導体太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-077626   出願人：株式会社ジャパンエナジー

審査官引用 (5件)

• III-V族化合物半導体太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-077626   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• 特開昭63-266851
  
• 特開昭53-066157
  
• 特開昭57-093544
  
• 化合物半導体太陽電池素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-403109   出願人：シャープ株式会社