特許
J-GLOBAL ID：200903019082320014
化合物半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215105
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083782
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】レジスト残渣や表面の汚れの除去にドライプロセスを用いないで清浄な化合物半導体基板表面を得ることができる化合物半導体装置の製造方法を提供することにある。【構成】ガリウム砒素化合物半導体基板1の表面に酸化処理を行って酸化ガリウムおよび酸化砒素を含む表面酸化膜2を形成し、表面酸化膜2上に所望のレジストパターン3を形成する。そして、表面酸化膜2におけるレジストパターン3で覆われていない露出部分をフッ化水素酸によるウェットエッチングで除去する。このとき、レジスト残渣や表面の汚れが同時に除去され、清浄な化合物半導体基板表面が露出する。そして、清浄な化合物半導体基板1の表面にエッチングや電極形成を行う。
請求項（抜粋）：
少なくともガリウムまたは砒素を含む化合物半導体基板の表面に酸化処理を行って表面酸化膜を形成する第1工程と、前記表面酸化膜上に所望のレジストパターンを形成する第2工程と、前記表面酸化膜におけるレジストパターンで覆われていない露出部分をウェットエッチングで除去することによりレジスト残渣や表面の汚れを同時に除去し、清浄な化合物半導体基板表面を露出させる第3工程と、前記清浄な化合物半導体基板表面にエッチングや電極形成を行う第4工程とを備えたことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/027
, H01L 21/308
