特許

J-GLOBAL ID：200903019103850795

窒化アルミニウム基板およびその製造方法

発明者： 矢野 圭一 ,  佐藤 英樹 ,  水野谷 信幸 ,  石井 正
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277523
公開番号（公開出願番号）：特開2001-097793
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：

【要約】【課題】熱伝導率が190W/m・K以上の優れた熱放熱性を有し、外観不良および半田付け性の低下を防止した高品質な窒化アルミニウム基板を得る。また、生産効率を向上させるとともに、量産化できる窒化アルミニウム基板の製造方法を得る。【解決手段】同時焼成法により形成されたメタライズ層を表面に備える窒化アルミニウム基板において、190W/m・K以上の熱伝導率を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

同時焼成法により形成されたメタライズ層を表面に備える窒化アルミニウム基板において、190W/m・K以上の熱伝導率を有することを特徴とする窒化アルミニウム基板。

IPC (3件)：

C04B 41/88 ,  C04B 35/581 ,  H01L 23/15

FI (4件)：

C04B 41/88 Q ,  C04B 41/88 M ,  C04B 35/58 104 Y ,  H01L 23/14 C

Fターム (14件)：

4G001BA09 ,  4G001BA32 ,  4G001BA36 ,  4G001BA61 ,  4G001BB09 ,  4G001BB32 ,  4G001BB36 ,  4G001BB61 ,  4G001BC22 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BD23 ,  4G001BD38 ,  4G001BE32

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 電子部品実装窒化アルミニウム基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-319278   出願人：徳山曹達株式会社
• 特開平1-241849
  
• 特開平1-241849
  
• 基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-188147   出願人：株式会社トクヤマ
• 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-155717   出願人：株式会社トクヤマ
• 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-040814   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平1-241849