特許
J-GLOBAL ID:200903078962614340
基板およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-188147
公開番号(公開出願番号):特開2001-019576
出願日: 1999年07月01日
公開日(公表日): 2001年01月23日
要約:
【要約】【課題】 高熱伝導率を有し、表面に形成される導電層と窒化アルミニウム焼結体との密着強度が十分強く、かつ基板全体の反りが小さい窒化アルミニウム基板を提供する。【解決手段】窒化アルミニウム焼結体の表面にタングステンなどの高融点金属よりなる導電層を有し、基板の熱伝導率が190W/mK以上であり、かつ導電層と窒化アルミニウム焼結体との密着強度が5.0kgf以上である窒化アルミニウム基板を提供する。窒化アルミニウム粉末、焼結助剤及び有機結合剤よりなる窒化アルミニウム成形体表面に、平均粒径0.8〜5μmの高融点金属粉末100重量部及び窒化アルミニウム粉末11〜20重量部よりなる導電ペーストの層を形成した導電ペースト成形体を残炭率800〜2500ppmの範囲に脱脂した後、1200〜1700°Cの温度で焼成し、次いで1800〜1900°Cの温度で焼成して得る。
請求項(抜粋):
窒化アルミニウム焼結体の表面に導電層が形成されてなる基板において、窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率が190W/mK以上であり、かつ窒化アルミニウム焼結体と導電層との密着強度が5.0kgf以上であることを特徴とする基板。
引用特許: