特許
J-GLOBAL ID：200903019125097195

配線回路基板と電子部品との接続構造

発明者：
江部 宏史

江部 宏史 について

, 
石丸 康人

石丸 康人 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-174420
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016451
出願日： 2007年07月02日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】熱融着時における短絡の発生が防止された配線回路基板と電子部品との接続構造を提供する。【解決手段】各配線パターン2は、導体層2aおよび錫めっき層2bからなり、先端部21、接続部22および信号伝送部23を含む。先端部21の幅と信号伝送部23の幅とは互いに等しく、接続部22の幅は先端部21および信号伝送部23の幅より小さい。電子部品の実装時には、各配線パターン2の接続部22と電子部品の各バンプ61とが熱融着によって接続される。距離A1,A2は、0.5μm以上に設定される。距離B1,B2は、20μm以上に設定される。錫めっき層2bの厚みは0.07μm以上0.25μm以下に設定される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
配線回路基板と電子部品の端子との接続構造であって、 前記配線回路基板は、 絶縁層と、 前記絶縁層上に形成された線状の導体パターンとを備え、 前記導体パターンは端子部を有し、 前記端子部は、第1の幅を有する第1の領域と、前記第1の幅よりも小さな第2の幅を有する第2の領域を有し、少なくとも前記第2の領域が0.07μm以上0.25μm以下の厚みを有する錫を含むめっき層で被覆され、 前記電子部品の端子と前記配線回路基板の前記第2の領域とが熱融着され、 前記第2の領域の一方の側辺が前記電子部品の端子の一方の側辺より0.5μm以上内側に位置し、前記第2の領域の他方の側辺が前記電子部品の端子の他方の側辺より0.5μm以上内側に位置し、 前記端子部の幅方向と直交する方向において前記第1の領域と前記電子部品の端子と間に20μm以上の間隔が形成されることを特徴とする配線回路基板と電子部品との接続構造。
IPC (4件)：
H01L 21/60 ,  H05K 3/34 ,  H05K 1/18 ,  H01L 23/12
FI (4件)：
H01L21/60 311Q ,  H05K3/34 501E ,  H05K1/18 L ,  H01L23/12 Q
Fターム (20件)：
5E319AA03 ,  5E319AA07 ,  5E319AB06 ,  5E319AC03 ,  5E319AC12 ,  5E319CC12 ,  5E319GG05 ,  5E336AA04 ,  5E336BB01 ,  5E336BB12 ,  5E336BB15 ,  5E336BC34 ,  5E336CC34 ,  5E336CC58 ,  5E336EE05 ,  5E336GG06 ,  5F044MM25 ,  5F044MM48 ,  5F044NN07 ,  5F044QQ02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
  • 電子機器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-296286   出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-179877   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
  • 接合材料、接合材料の設計方法および接合構造体
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-377051   出願人：松下電器産業株式会社
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