特許

J-GLOBAL ID：200903019149147258

プラズマ処理装置

発明者： 枝村 学 ,  吉岡 健 ,  前田 賢治 ,  荒井 雅嗣
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-171474
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016895
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】本発明は、プラズマ処理装置において、プラズマ処理によって発生したチャンバ内部の反応付着物のクリーニングや、プラズマ処理によって劣化した部品交換に時間がかかり、プラズマ処理装置の稼働率、処理性能が低かった。【解決手段】プラズマ処理装置の処理チャンバ7中で、被処理物であるウエハ1上に落下する異物数や、プラズマ処理自体に、最も影響をもたらす箇所である、ウエハ1と対向する位置に、チャック5によって保持される着脱可能なカバー4を設ける。ウエハの搬送アーム9および搬送システムを利用して、カバー4を処理チャンバ7を大気開放することなしに交換可能とする

請求項（抜粋）：

処理チャンバと、プラズマ源と、被処理物の搬送システムを備えたプラズマ処理装置において、被処理物を保持する台と対向する位置に、着脱自在なカバーを設置可能とし、さらに前記カバーを被処理物の搬送システムを用いて搬入出可能としたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/00 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 14/00 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体用製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066069   出願人：日本電気株式会社
• プラズマプロセス反応装置用ガス注入スリットノズル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-236954   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-239822   出願人：住友金属工業株式会社
• 特開平4-282848