実装用半導体装置とその実装方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-211731
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064237
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【構成】電極形成面に外部接続用の金属柱体またはバンプを備えた半導体素子3が樹脂封止されている半導体装置であって、前記金属柱体またはバンプ6が形成されている面に半硬化状態の熱硬化性樹脂層または成形温度が100°C以上の樹脂フィルム層8が形成されており、該樹脂層または樹脂フィルム層の厚さが、前記金属柱体またはバンプ6の高さ以上の厚さに形成されている実装用半導体装置。【効果】前記熱硬化性樹脂層または樹脂フィルム層8が、金属柱体またはバンプ6に生ずる応力を分散できる均一絶縁層をプリント基板への実装時に容易に形成でき、はんだ接続信頼性を向上させる。また、半導体素子3全体が封止樹脂5と、前記熱硬化性樹脂層または樹脂フィルム層とにより完全密閉構造となっているので、耐湿信頼性に優れた実装用半導体装置を提供できる。

請求項（抜粋）：

電極形成面に外部接続用の金属柱体またはバンプを備えた半導体素子が樹脂封止されている半導体装置であって、前記金属柱体またはバンプが形成されている面に半硬化状態の熱硬化性樹脂層または成形温度が100°C以上の樹脂フィルム層が形成されており、該樹脂層またはフィルム層の厚さが、前記金属柱体またはバンプの高さ以上の厚さに形成されていることを特徴とする実装用半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/28 , H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 23/28 A , H01L 21/60 311 S

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-016148
特開平3-012942
特開平3-177034

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