特許
J-GLOBAL ID:200903019178005497
ヒドロキシビアリール化合物の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-320762
公開番号(公開出願番号):特開2003-128608
出願日: 2001年10月18日
公開日(公表日): 2003年05月08日
要約:
【要約】【課題】比較的低温で収率良く、また、触媒は再利用できる、工業的に有利なヒドロキシビアリール化合物の製造方法を提供すること。【解決手段】 担持型Pd触媒及び塩基の存在下、下記一般式(1)で表されるハロゲン化ヒドロキシアリール化合物と、【化1】下記一般式(2)で表されるアリールボロン酸またはその誘導体を水中で反応させることを特徴とする、【化2】下記一般式(3)で表されるヒドロキシビアリール化合物の製造方法。【化3】
請求項(抜粋):
担持型Pd触媒及び塩基の存在下、下記一般式(1)で表されるハロゲン化ヒドロキシアリール化合物と、【化1】(式中、Xはハロゲン原子を表し、R1は、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数1〜20のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数2〜20のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数2〜20のアルキニル基、置換基を有しても良い炭素数6〜20のアリール基、置換基を有しても良い炭素数3〜20の複素環残基、置換基を有しても良い炭素数7〜20のアラルキル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数2〜20のアシル基、炭素数2〜20のアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良いアミノ基、ホルミル基、CO2Na基、SO3Na基を表す。また、nは0から4までの整数を表し、nが2〜4の整数の場合には、それぞれのR1は同一でも異なっても良い。また、2つのR1が一体となって縮合芳香環又は縮合複素環を形成しても良い。)下記一般式(2)で表されるアリールボロン酸またはその誘導体を水中で反応させることを特徴とする、【化2】(式中、Ar基はアリール基又は複素環残基を表し、それぞれ置換基を有して良い。)下記一般式(3)で表されるヒドロキシビアリール化合物の製造方法。【化3】(式中、R1は一般式(1)におけるR1と同じものを示し、また、Ar基は一般式(2)におけるAr基と同じものを示す。)
IPC (5件):
C07C 37/18
, C07C 39/15
, C07C 41/30
, C07C 43/23
, C07B 61/00 300
FI (5件):
C07C 37/18
, C07C 39/15
, C07C 41/30
, C07C 43/23 B
, C07B 61/00 300
Fターム (15件):
4H006AA02
, 4H006AC22
, 4H006BA02
, 4H006BA25
, 4H006BA32
, 4H006BA55
, 4H006BA69
, 4H006BB31
, 4H006FC52
, 4H006FE13
, 4H006GP03
, 4H006GP12
, 4H039CA41
, 4H039CD20
, 4H039CD90
引用特許: