ダイシング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128529
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330008
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ブレードに損傷を与えないで且つ半導体ウェーハの表面にコンタミを付着させない半導体ウェーハを切削・チップ状に分割するダイシング方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハの裏面とフレームとをテープによって一体に貼着する工程と、UVテープに紫外線を照射してUVテープの糊層を硬化させる工程と、硬化した糊層14aのみを半導体ウェーハの表面に残存させてUVテープのシート層を剥離する工程と、硬化した糊層と共に半導体ウェーハをダイシングするダイシング工程と、半導体ウェーハの表面から硬化した糊層を剥離する工程と、からなるものであって、硬化した糊層は粘性がほとんどなくなっているため、ブレードに巻き込まれたり目詰まりしたりすることがなく、ブレードを傷めないで、しかも硬化した糊層の存在によって半導体ウェーハの表面にコンタミが付着せずに効率よく切削・切断のダイシングが遂行できる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを個々のチップに分割するダイシング方法であって、半導体ウェーハの裏面とフレームとをテープによって一体に貼着する工程と、該半導体ウェーハの表面にUVテープを貼着する工程と、該UVテープに紫外線を照射してUVテープの糊層を硬化させる工程と、硬化した糊層のみを半導体ウェーハの表面に残存させて該UVテープのシート層を剥離する工程と、該硬化した糊層と共に半導体ウェーハをダイシングするダイシング工程と、該ダイシングが完了した後に半導体ウェーハの表面から硬化した糊層を剥離する工程と、からなるダイシング方法。

FI (3件)：

H01L 21/78 M , H01L 21/78 P , H01L 21/78 Q

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-197707 出願人：ソニー株式会社
特開昭61-116504
特開昭62-079649

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