特許

J-GLOBAL ID：200903019214567120

半導体製造装置用セラミックス部品

発明者： 鈴木 敦 ,  大滝 浩通 ,  岸 幸男
出願人/特許権者： 株式会社日本セラテック ,  太平洋セメント株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319179
公開番号（公開出願番号）：特開2001-139365
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：

【要約】【課題】 装置の長時間の連続運転を行った際のパーティクル発生数が少なくなり、その結果装置停止回数を減らすことができデバイスの生産効率向上が可能となる半導体製造装置用セラミックス部品を提供する。【解決手段】 ハロゲンガス或いはそのプラズマに曝される半導体製造装置用セラミックス部品であって、前記部品を構成するセラミックスが希土類酸化物を含むセラミックス焼結体からなり、熱伝導率が40W/m・K以下かつ室温から500°Cでの全放射率が80%以下であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックス部品。

請求項（抜粋）：

ハロゲンガス或いはそのプラズマに曝される半導体製造装置用セラミックス部品であって、前記部品を構成するセラミックスが希土類酸化物を含むセラミックス焼結体からなり、熱伝導率が40W/m・K以下かつ室温から500°Cでの全放射率が80%以下であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックス部品。

IPC (5件)：

C04B 35/00 ,  C04B 35/44 ,  C04B 35/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

C04B 35/44 ,  C04B 35/50 ,  H01L 21/205 ,  C04B 35/00 H ,  H01L 21/302 C

Fターム (21件)：

4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA36 ,  4G030BA33 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA29 ,  4G031BA26 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB29 ,  5F004BC08 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB15 ,  5F045EB03 ,  5F045EC05 ,  5F045EH13 ,  5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 耐プラズマ部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-042604   出願人：京セラ株式会社
• 耐食性部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-201566   出願人：京セラ株式会社