液晶表示装置用薄膜トランジスタおよび液晶表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011237
公開番号（公開出願番号）：特開平9-203908
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体層のリーク電流を抑え、薄膜トランジスタのオフ電流を低くできる液晶表示装置用薄膜トランジスタとその薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、透明基板41上にゲート電極42が形成され、透明基板上面とゲート電極とを覆って絶縁層43が形成され、絶縁層上に前記ゲート電極に対向して半導体層46が形成され、半導体層上にエッチングストッパ層44が形成され、半導体層の両側にエッチングストッパ層と半導体層と絶縁層に渡って相互に隣接された対向状態でソース電極49とドレイン電極50が形成されてなる液晶表示素子用薄膜トランジスタであって、ゲート電極が透明基板側から半導体層を隠す大きさに形成され、ソース電極とドレイン電極のライン幅が、このライン幅と同じ方向に沿う半導体層の幅よりも大きくされてなるものである。

請求項（抜粋）：

透明基板上にゲート電極が形成され、透明基板上面とゲート電極とを覆って絶縁層が形成され、絶縁層上に前記ゲート電極に対向して半導体層が形成され、半導体層上にエッチングストッパ層が形成され、半導体層の両側にエッチングストッパ層と半導体層と絶縁層に渡って相互に隣接された対向状態でソース電極とドレイン電極が形成されてなる液晶表示素子用薄膜トランジスタであって、ゲート電極が透明基板側から半導体層を隠す大きさに形成され、ソース電極とドレイン電極のライン幅が、このライン幅と同じ方向に沿う半導体層の幅よりも大きくされてなることを特徴とする液晶表示装置用薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786

FI (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 K

引用特許：

審査官引用 (11件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-043828 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-230125
特開平1-277820

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