特許
J-GLOBAL ID:200903019261326920

レーザ溶接方法およびその方法を用いて製造された半導体レーザモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 五十嵐 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-182039
公開番号(公開出願番号):特開2003-001452
出願日: 2001年06月15日
公開日(公表日): 2003年01月08日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 気泡やクラックに起因した溶接部分の強度劣化を抑制し、また、溶融金属を冷却する際に発生する金属飛散量や溶接部分の残留応力を小さく抑える。【解決手段】 隣接配置された金属の接合対象部位にレーザ光を照射してレーザ溶接を行う際に、そのレーザ光のパワーを照射開始から照射終了まで一定とするのではなく、レーザ光のパワーを照射開始時よりも低下させた後にレーザ光の照射を終了することにより、溶融金属の急激な冷却凝固を抑制できる。これにより、溶接部分のクラック発生や気泡を低減することができる。また、金属飛散量や溶接部分の残留応力を小さく抑制できる。
請求項(抜粋):
隣接配置された金属同士の接合対象部位にレーザ光を照射し、金属同士を溶接接合するレーザ溶接方法において、接合対象部位に照射するレーザ光のパワーを段階的に又は連続的に低下させてからレーザ光の照射を終了することを特徴としたレーザ溶接方法。
IPC (5件):
B23K 26/00 ,  B23K 26/00 310 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/022 ,  B23K101:40
FI (5件):
B23K 26/00 N ,  B23K 26/00 310 N ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/022 ,  B23K101:40
Fターム (10件):
2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037DA04 ,  2H037DA16 ,  4E068CA02 ,  4E068DA09 ,  5F073BA09 ,  5F073DA35 ,  5F073FA07 ,  5F073FA21
引用特許:
審査官引用 (7件)
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