特許
J-GLOBAL ID：200903019308312842
拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤吉 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-154003
公開番号（公開出願番号）：特開平11-350120
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：
【要約】【課題】 配線抵抗が小さく膜厚均一性に優れた銅配線膜を、大きなスパッタリングパワーの条件下で形成することが可能であるような高純度銅スパッタリングターゲット組立体及びその製造方法を提供する【解決手段】 Na及びK含有量がそれぞれ0.1ppm以下、Fe,Ni,Cr,Al,Ca,Mg含有量がそれぞれ1ppm以下、炭素及び酸素含有量がそれぞれ5ppm以下、U及びTh含有量がそれぞれ1ppb以下、ガス成分を除いた銅の含有量が99.999%以上である高純度銅ターゲット材とバッキングプレートを備え該ターゲットとバッキングプレートが固相拡散接合界面を有することを特徴とする固相拡散接合スパッタリングターゲット組立体。
請求項（抜粋）：
Na及びK含有量がそれぞれ0.1ppm以下、Fe,Ni,Cr,Al,Ca,Mg含有量がそれぞれ1ppm以下、炭素及び酸素含有量がそれぞれ5ppm以下、U及びTh含有量がそれぞれ1ppb以下、ガス成分を除いた銅の含有量が99.999%以上である高純度銅ターゲット材とバッキングプレートを備え該ターゲットとバッキングプレートが固相拡散接合界面を有することを特徴とする固相拡散接合スパッタリングターゲット組立体。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C23C 14/34 A
, C23C 14/34 C
, H01L 21/285 S
