特許
J-GLOBAL ID：200903019318595664
低圧力放電スパッタ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-082848
公開番号（公開出願番号）：特開平9-272973
出願日： 1996年04月04日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】 10-2以下の圧力で安心して大電流放電が可能なスパッタ装置を提供する。【解決手段】 カソード部23に内部電磁石と外部電磁石とを有するマグネトロンスパッタリング方式のスパッタ装置において、シャッター22を、カソード上に載置されたターゲット表面の、該ターゲット表面に対する最大平行磁場強度が得られる位置の垂直上方であって、その平行磁場強度が10ガウス以下になる位置よりもさらに離れた位置に設けた。
請求項（抜粋）：
ターゲットを載置するカソードと、カソード内に配置され前記ターゲット上に閉ループ状の磁力線を形成する第1の磁石と、前記カソードの周囲に配置され前記第1の磁石が形成する磁力線を前記ターゲットの中心へ閉じ込める第2の磁石とを備えたマグネトロンスパッタリング方式の低圧力放電スパッタ装置において、前記ターゲットからのスパッタ粒子を制御する制御部材を、前記ターゲット表面の、該ターゲット表面に対する最大平行磁場強度が得られる位置の垂直上方であって、その平行磁場強度が10ガウス以下になる位置よりもさらに離れた位置に設けたことを特徴とする低圧力放電スパッタ装置。
IPC (3件)：
C23C 14/35
, C23C 14/34
, H01L 21/203
C23C 14/35 C
, C23C 14/34 G
, H01L 21/203 S
