磁性薄膜形成用Ni-Fe合金スパッタリングターゲット、磁性薄膜および磁性薄膜形成用Ni-Fe合金スパッタリングターゲットの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤吉一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-137876
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335821
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：

【要約】【課題】強磁性Ni-Fe合金薄膜形成の用途に適し、かつスパッタリングの際のパーティクル発生が少なく、耐食性、磁気特性も良好なNi-Fe合金材料及びその製造方法を提供すること。【解決手段】酸素含有量が50ppm以下、S含有量が10ppm以下、炭素含有量が50ppm以下、合金成分以外の金属不純物含有量が合計50ppm以下であることを特徴とする磁性薄膜形成用Ni-Fe合金スパッタリングターゲット。原料を塩酸で溶解し、イオン交換、活性炭処理、電解精製を行って得た高純度材料を溶解し合金化することによって製造することができる。

請求項（抜粋）：

酸素含有量が50ppm以下、S含有量が10ppm以下、炭素含有量が50ppm以下、合金成分以外の金属不純物含有量が合計50ppm以下であることを特徴とする磁性薄膜形成用Ni-Fe合金スパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , C22C 19/00 , C23C 14/14 , C25C 1/06

FI (4件)：

C23C 14/34 A , C22C 19/00 Q , C23C 14/14 F , C25C 1/06

引用特許：

審査官引用 (7件)

特公昭63-066894
特公平3-064586
特公平4-030450

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