半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036110
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012677
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】開口部の機械強度が低い、取扱性が悪い、寸法精度等の確保が困難、エッチング加工性が悪い、ビアホール径の微細化に限界がある、配線の高密度化が困難、エッチング溶液の毒性が強い等の問題がある。【解決手段】ポリイミドテープ上の銅箔層をフォトエッチング(ステップ101)して設けたパターン部分にレーザ加工でビアホールを形成する(ステップ102)。この内壁面に金属膜を形成し(ステップ103)、デバイスホール等の為の銅パターンをフォトエッチングで形成し(ステップ105)、この銅パターンをマスクして各ホールをレーザ加工で形成する(ステップ107)。更に、銅箔層にフォトエッチングを施し(ステップ109)、インナーリードを含む銅配線パターンを設け、レジスト膜を除去(ステップ110)すれば、両面配線テープキャリアが完成する。

請求項（抜粋）：

両面に銅箔層を有する絶縁性フィルムの一面または両面の銅箔層をフォトエッチングして両面導通用のビアホールと同一形状の開口パターンを形成し、この開口パターンを有する銅箔層をマスクとして前記開口パターン部分に露出した絶縁性フィルムに対しレーザ加工を施すことによって前記絶縁性フィルムを貫通するビアホールを形成し、前記ビアホールの壁面を金属化して両面の銅箔層を導通化するためのめっきを施し、一面の銅箔層をフォトエッチングして素子配設用デバイスホール等開口部を形成するための開口パターンを形成し、この開口パターンを有する銅箔層をマスクとして前記開口パターン部分に露出した絶縁性フィルムに対しレーザ加工を施すことによって前記絶縁性フィルムにデバイスホール等開口部を形成し、前記絶縁性フィルムの前記開口部を覆っている側の前記銅箔層にフォトエッチングを施してインナーリードを含む銅配線パターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , B23K 26/00 320 , H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/60 311 W , B23K 26/00 320 A , H01L 23/12 Q

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-239739
導体層付き絶縁基板における絶縁体層の部分的除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-038539 出願人：古河電気工業株式会社, 古河サーキットフォイル株式会社
特開昭59-022393

全件表示

前のページに戻る