特許
J-GLOBAL ID：200903019379178101
磁気メモリデバイス、並びに磁気メモリデバイスの書込方法および読出方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三反崎 泰司
, 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-280094
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119638
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】S/N比が高い読み出し信号出力を得ることが可能な磁気メモリデバイスおよび磁気メモリデバイスの読出方法、並びに、S/N比が高い情報読み出しを可能とする磁気メモリデバイスの書込方法を提供する。【解決手段】記憶セル12は、1対の磁気記憶素子12A,12Bからなる。磁気記憶素子12A,12Bはそれぞれ、一端がセンスビット線21A,21Bに、他端が1対の逆流防止用ダイオード13A,13Bを介してセンスワード線31に接続される。センスワード線31の接地側に、定電流回路108Bが配設されている。定電流回路108Bは、センスワード線31を流れる電流を一定とする機能を有し、定電圧発生用のダイオード32,トランジスタ33および電流制限抵抗器34から構成されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
複数の第1の書込線と、
前記複数の第1の書込線とそれぞれ交差するように延びる複数の第2の書込線と、
外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、この積層体の一方の面側に前記積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に前記第1および第2の書込線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを含む複数の磁気抵抗効果素子と
を備え、
1つの記憶セルが一対の前記磁気抵抗効果素子を含んで構成されていることを特徴とする磁気メモリデバイス。
IPC (3件)：
H01L27/105
, G11C11/15
, H01L43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, G11C11/15 120
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083HA07
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083LA03
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA06
, 5F083LA07
, 5F083LA10
, 5F083ZA09
