特許
J-GLOBAL ID：200903070033621608

磁気メモリ装置

発明者：
猪俣 浩一郎

猪俣 浩一郎 について

, 
中島 健太郎

中島 健太郎 について

, 
斉藤 好昭

斉藤 好昭 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-075168
公開番号（公開出願番号）：特開2001-266567
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】大きな信号電圧と大きなS/Nをもち、大容量化に寄与する新しい磁気メモリ装置の提供。【解決手段】第1磁化固着膜と、第1磁化固着膜と近接配置された第1トンネル絶縁膜と、第1トンネル絶縁膜を介して第1磁化固着膜と対向配置され外部磁界により磁化の向きが変わる第1磁性層を備える第1トンネル接合11a-1と、第1強磁性層と反強磁性結合して外部磁界によって磁化の向きが変わる第2磁性層、第2トンネル絶縁膜と、第2トンネル絶縁膜を介して第2磁性層に対向配置された第2磁化固着膜を備える第2トンネル接合11a-2を備え、常に第1トンネル接合と第2トンネル接合の一方が低抵抗、他方が高抵抗を維持する。読み出し電流は、セルトランジスタ16aを介して、第1トンネル接合と第2トンネル接合に分流され、その電流差あるいは負荷電圧の差をセンスアンプ17によって差動検出できる。
請求項（抜粋）：
磁化方向が固定された第1強磁性磁化固着膜と、前記第1強磁性磁化固着膜と近接配置された第1トンネル絶縁膜と、前記第1トンネル絶縁膜を介して前記第1強磁性磁化固着膜と対向配置され、外部磁界により磁化の向きが変わる第1磁性層、前記第1強磁性層と反強磁性結合し、前記外部磁界により磁化の向きが変わる第2磁性層、及び前記第1及び第2強磁性層間に配置され前記第1及び第2磁性層を反強磁性結合させる非磁性導電層を備えた磁気記憶膜と、前記磁気記憶膜に近接配置された第2トンネル絶縁膜と、前記第2トンネル絶縁膜を介して前記第2磁性層に対向配置された第2強磁性磁化固着膜とを備えるトンネル接合素子、前記磁気記憶膜に電気接続する第1配線、前記第1強磁性磁化固着膜に電気接続する第2配線、及び前記第2強磁性磁化固着膜に電気接続する第3配線を備えることを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (6件)：
G11C 11/15 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08
FI (8件)：
G11C 11/15 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08 A ,  H01L 43/08 P ,  H01L 43/08 Z
Fターム (17件)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AC00 ,  5E049BA06 ,  5E049DB14 ,  5E049DB20 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA12 ,  5F083GA30 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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