完全閉磁束作用を備える不揮発性磁気抵抗メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木弘男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-525006
公開番号（公開出願番号）：特表平11-501438
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】メモリセルは、複数の層を有すると共に巨大磁気抵抗を示す第1構造と、第1構造を有すると共に1次元以上の閉磁束構造を有する記憶素子と、関連する磁性ベクトルを有する選択層と、磁性ベクトルは実質的に記憶素子の全作用段階を通じて、1以上の次元に制限されることとを備える。メモリセルは、第1構造に対する情報の読出し、及び情報の書込み手段と、第1構造に対する情報の読出し、及び書込みを可能にするため、1つ以上の選択信号を記憶素子に適用するための選択導体とを備える。発明の実施の形態の1つでは、読出し及び書込み手段は、第1構造に対して電気的に結合されている読出し導体、及び読出し導体及び第1構造から電気的に絶縁されている書込み導体とを備える。2つめの発明の実施の形態では、読出し及び書込み手段は、第1構造と電気的に結合されている単一導体を備える。

請求項（抜粋）：

複数の層を有すると共に巨大な磁気抵抗を示す第1構造と、関連する磁性ベクトルを有する選択層とを有し、少なくとも1つの次元の閉磁束構造を有するとともに、前記磁性ベクトルは前記記憶素子の全作用段階を通じて少なくとも1つの次元に実質的に制限されることを特徴とするメモリセル。

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁性薄膜メモリおよびその記録方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-234539 出願人：三菱電機株式会社
特開昭59-052868
超高密度、不揮発性強磁性ランダム・アクセス・メモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-510871 出願人：アメリカ合衆国

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