特許

J-GLOBAL ID：200903019409745006

静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装置および処理方法

発明者： 里吉 務 ,  末木 英人
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-289236
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111830
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 LCD基板のような絶縁基板であっても確実に支持テーブルに吸着できる静電吸着装置を提供すること。【解決手段】 プラズマが形成される空間に設けられ、絶縁基板Sを吸着するための静電吸着装置10は、絶縁体12とその内部に設けられた電極13とを有し、絶縁基板Sを吸着するための吸着部材11と、電極13にDC電圧を印加するDC電源21とを具備し、プラズマが形成された状態で電極13にDC電圧を印加することにより、プラズマから基板S上に蓄積された電荷と電極13との間に生じる静電力により、絶縁基板Sが吸着部材11に吸着される。

請求項（抜粋）：

プラズマが形成される空間に設けられ、絶縁基板を吸着するための静電吸着装置であって、絶縁体とその内部に設けられた電極とを有し、前記絶縁基板を吸着するための吸着部材と、前記電極にDC電圧を印加するDC電圧印加手段とを具備し、プラズマが形成された状態で前記電極にDC電圧を印加することにより、プラズマから前記基板上に蓄積された電荷と前記電極との間に生じる静電力により、前記絶縁基板が前記吸着部材に吸着されることを特徴とする静電吸着装置。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/15 ,  H01L 21/3065 ,  H02N 13/00

FI (4件)：

H01L 21/68 R ,  B23Q 3/15 D ,  H02N 13/00 D ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-320895   出願人：日新電機株式会社
• 減圧処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-086341   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• ガス伝熱プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-124815   出願人：松下電器産業株式会社