特許
J-GLOBAL ID:200903019411928398

固体撮像装置及びその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-070537
公開番号(公開出願番号):特開平11-274454
出願日: 1998年03月19日
公開日(公表日): 1999年10月08日
要約:
【要約】【課題】 ホトダイオードと転送スイッチ間のバイパス領域の濃度と幅を精度よく形成し、ダイナミックレンジを広げることを課題とする。【解決手段】 ?@一主表面を含む半導体基板上にある第1導電型の第1の領域と、該第1の領域内に第2導電型の第2の領域と、該第2の領域と主表面との間にある第1導電型の第3の領域とからなる光電変換部と、?A該第1の領域内にあって第2導電型を有する第4の領域と、?B該光電変換部に蓄積された信号電荷を該第4の領域に転送するための該第1の領域と、該第1の領域上の絶縁膜と、該絶縁膜上の制御電極とからなる電荷転送部と、を少なくとも有する固体撮像装置において、前記光電変換部と前記電荷転送部は第2導電型を有する第5の領域を介して接続されていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
?@一主表面を含む半導体基板上にある第1導電型の第1の領域と、該第1の領域内に第2導電型の第2の領域と、該第2の領域と主表面との間にある第1導電型の第3の領域とからなる光電変換部と、?A該第1の領域内にあって第2導電型を有する第4の領域と、?B該光電変換部に蓄積された信号電荷を該第4の領域に転送するための該第1の領域と、該第1の領域上の絶縁膜と、該絶縁膜上の制御電極とからなる電荷転送部と、を少なくとも有する固体撮像装置において、前記光電変換部と前記電荷転送部は前記第2導電型を有する第5の領域を介して接続されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (4件):
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 1/028 ,  H04N 1/19
FI (4件):
H01L 27/14 A ,  H04N 1/028 A ,  H01L 31/10 H ,  H04N 1/04 103 Z
引用特許:
審査官引用 (4件)
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