特許
J-GLOBAL ID：200903022839937821

窒化物系半導体装置

発明者：
大内 洋一郎

大内 洋一郎 について

, 
只友 一行

只友 一行 について

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岡川 広明

岡川 広明 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-297781
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072148
出願日： 2003年08月21日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】GaN系半導体素子に関係する短波長光に対しても、変質・分解などが生じ難く、また反射性が改善されたダイボンディング構造を有するGaN系半導体装置を提供すること。【解決手段】 金属材料をダイボンド材料3として用い、GaN系素子2をダイボンディングするに際し、結晶基板S1の裏面を金属積層体4によってメタライズする。該金属積層体4には、素子構造内で発せられた光または素子構造内を通過してきた受光対象光を、素子構造側へ反射するよう機能する反射層4aと、前記反射層とダイボンド材料層との間に介在して、前記反射層をダイボンド材料層から保護するよう機能する保護層4bとを少なくとも含ませる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物系半導体素子が実装用基板にダイボンディングされてなる半導体装置であって、該半導体素子はその素子の結晶基板が実装用基板側となる姿勢にて金属材料をダイボンド材料として介在させることによってダイボンディングされており、 結晶基板の裏面は金属積層体によってメタライズされ、該金属積層体には、 (a)素子構造内で発せられた光または素子構造内を通過してきた受光対象光を、素子構造側へ反射するよう機能する反射層と、 (b)前記反射層とダイボンド材料層との間に介在して、前記反射層をダイボンド材料層から保護するよう機能する保護層とが、 少なくとも含まれていることを特徴とする、窒化物系半導体装置。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  H01L21/52 ,  H01S5/022
FI (4件)：
H01L33/00 N ,  H01L21/52 B ,  H01L21/52 E ,  H01S5/022
Fターム (17件)：
5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA92 ,  5F041DA03 ,  5F047BA05 ,  5F047BC02 ,  5F047BC07 ,  5F047BC08 ,  5F047BC14 ,  5F047CA08 ,  5F073CA07 ,  5F073EA28 ,  5F073FA18 ,  5F073FA22
引用特許：
出願人引用 (4件)
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