特許
J-GLOBAL ID:200903019478788361
低抵抗ヒューズおよび低抵抗ヒューズを製造する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
青木 篤
, 鶴田 準一
, 島田 哲郎
, 下道 晶久
, 倉地 保幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-048668
公開番号(公開出願番号):特開2006-237008
出願日: 2006年02月24日
公開日(公表日): 2006年09月07日
要約:
【課題】本発明は、フォイルヒューズ素子を利用したヒューズおよびその製造方法に関し、ヒューズの電気抵抗値の増大を抑制することによって能動回路部品の動作に悪影響を及ぼすのを阻止することを目的とする。【解決手段】第1中間絶縁レイヤ26と、第2中間絶縁レイヤ28と、第1中間絶縁レイヤおよび第2中間絶縁レイヤの各々から独立して形成されかつ製造された独立型のヒューズ素子レイヤ20であって、第1接触パッド32および第2接触パッド34と、第1接触パッドと第2接触パッドとの間で伸びるヒューズ可融リンク30とを含むヒューズ素子レイヤ20とを有し、第1中間絶縁レイヤおよび第2中間絶縁レイヤは、ヒューズ素子レイヤの反対の面上に伸びており、第1中間絶縁レイヤと第2中間絶縁レイヤとの間においてヒューズ素子レイヤと一体に積層されている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
第1中間絶縁レイヤと、
第2中間絶縁レイヤと、
前記第1中間絶縁レイヤおよび前記第2中間絶縁レイヤの各々から独立して形成されかつ製造された独立型のヒューズ素子レイヤであって、第1接触パッドおよび第2接触パッドと、前記第1接触パッドと前記第2接触パッドとの間で伸びるヒューズ可融リンクとを含む独立型のヒューズ素子レイヤとを有し、
前記第1中間絶縁レイヤおよび前記第2中間絶縁レイヤは、前記独立型のヒューズ素子レイヤの反対の面上に伸びており、前記第1中間絶縁レイヤと前記第2中間絶縁レイヤとの間において前記ヒューズ素子レイヤと一体に積層されていることを特徴とする低抵抗ヒューズ。
IPC (6件):
H01H 85/175
, H01H 85/17
, H01H 85/38
, H01H 85/11
, H01H 85/10
, H01H 69/02
FI (6件):
H01H85/175
, H01H85/17
, H01H85/38
, H01H85/11
, H01H85/10
, H01H69/02
Fターム (19件):
5G502AA01
, 5G502AA03
, 5G502AA04
, 5G502AA09
, 5G502BA08
, 5G502BB01
, 5G502BB05
, 5G502BB07
, 5G502BB16
, 5G502BC08
, 5G502BD09
, 5G502BD10
, 5G502BE03
, 5G502CC04
, 5G502CC28
, 5G502CC32
, 5G502EE06
, 5G502EE10
, 5G502JJ01
引用特許:
審査官引用 (10件)
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低抵抗ポリマーマトリクスヒューズ装置および方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-004659
出願人:クーパー・テクノロジーズ・カンパニー
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回路保護素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-140153
出願人:松下電器産業株式会社
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集積型可融リンクを有するプリント回路板アセンブリ
公報種別:公表公報
出願番号:特願2000-523837
出願人:リッテルフューズインコーポレイテッド
-
ヒューズ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-191954
出願人:アーベーベー・リサーチ・リミテッド
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特開平4-282527
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電気ヒューズ
公報種別:公表公報
出願番号:特願平10-520069
出願人:ヴィクマン-ベルケゲーエムベーハー
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特開平4-282527
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特開昭47-019356
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チップ型フューズおよびその製造法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-182600
出願人:日立化成工業株式会社
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半導体装置用のヒューズ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-025990
出願人:インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
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